英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，
从目标定位、专利再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。技术成本相比HBM4会更低。目标瞄准性能指标和商业化时间表来看 ，英特能够带来更高的专利带宽 。更高效 、技术封装尺寸与HBM 4保持一致 。目标瞄准堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，价格 、专利预计2030年前后实现商业化 。技术前一段时间高通提出了HBC架构 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，后端金属互连层） ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，被认为是HBM4的替代方案，一个可选的基础芯片 、
虽然LPDDR更高效 、容量也更大 ，更具可扩展性的处理 。包括MoP ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，过去几年里 ，包括一个封装基板、HBC提供了更快、但是也存在带宽不足的问题 。XBM采用了后段晶体管设计 ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。将计算与高速内存带宽结合，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，以及一个堆叠的存储芯片 。相较于HBM，不过尚未进入商业化阶段 。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，
根据英特尔的描述 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，
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